Es una forma de un diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios constituidos con regiones de dopaje P o N, solamente del tipo N. Existe en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedida de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.
La frecuencia de oscilación obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo pero también puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido en 10 GHz y frecuencias aun mas altas, fasta teraherz. Este diodo usa en combinación con circuitos resonantes constituidos con guias de ondas, cavidades coaxiales y resonantes YIG y la sincronización es realizada mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son eléctricos.
Los diodos Gunn suelen estar fabricados de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, o de Nitruro de Galio que pueden alcanzar los 3 teraherz.
Fuente: http://es.wikipedia.org/
Este diodo no es tan conocido como el diodo emisor de luz o como el diodo de un solo paso, pero se ve que será muy útil en la industria electrónica.
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